Что произошло
SK hynix 18 июня 2026 года сообщила, что отгрузила крупным заказчикам образцы 12-слойной HBM4E — следующего поколения памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которая используется в ускорителях для обучения и инференса ИИ. Поставка образцов идёт по графику; массовое производство компания планирует развернуть в 2027 году.
Детали
- Один стек 12-слойной HBM4E вмещает 48 ГБ и работает на скорости до 16 Гбит/с на контакт. Пропускная способность — около 4 ТБ/с, это примерно на 38% больше предыдущего поколения HBM4.
- Энергоэффективность выросла более чем на 20%, а теплостойкость — на 17% относительно HBM4: для плотных ИИ-серверов, где память перегревается одной из первых, это критично.
- Образцы изготовлены по фирменной технологии упаковки Advanced MR-MUF. На фоне новости акции SK hynix поднимались к рекордным уровням.
Что это значит
Касается рынка ИИ-ускорителей и тех, кто следит за их доступностью и ценой. HBM — узкое место всей индустрии: именно её не хватает для GPU вроде NVIDIA, и именно она во многом определяет и стоимость, и дефицит топовых ускорителей. Переход к HBM4E с +38% пропускной способности означает, что следующее поколение ИИ-чипов сможет «кормить» вычислительные ядра данными быстрее — это прямой прирост скорости обучения и инференса. Горизонт ощутимого эффекта — 2027 год, когда память выйдет в серию и попадёт в коммерческие ускорители. Важный контекст конкуренции: Samsung отгрузила свои первые образцы HBM4E ещё в конце мая, так что гонка за этим рынком обострилась — а здоровое соперничество трёх производителей (SK hynix, Samsung, Micron) работает против дефицита и заоблачных цен.
